GAA (Gate-All-Around, 게이트 올어라운드)
GAA(Gate-All-Around, 게이트 올어라운드)는 3nm 이하 초미세 반도체 공정에서 트랜지스터의 게이트가 채널을 360도 완전히 감싸는 차세대 구조로, 기존 FinFET의 물리적 한계(전류 누설)를 돌파해 성능 15%↑·전력 30%↓를 실현하는 2026년 …
GAA(Gate-All-Around, 게이트 올어라운드)는 3nm 이하 초미세 반도체 공정에서 트랜지스터의 게이트가 채널을 360도 완전히 감싸는 차세대 구조로, 기존 FinFET의 물리적 한계(전류 누설)를 돌파해 성능 15%↑·전력 30%↓를 실현하는 2026년 …